S27KS0641DPBHB023

Cypress Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 28301 pcs

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部品型番	S27KS0641DPBHB023	メーカー	Cypress Semiconductor
説明	IC DRAM 64M PARALLEL 166MHZ	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	28301 pcs	データシート	S27KS0641DPBHB023.pdf
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ	-	電源電圧 -	1.7 V ~ 1.95 V
技術	DRAM	シリーズ	Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS
運転温度	-40°C ~ 105°C (TA)	水分感受性レベル（MSL）	3 (168 Hours)
メモリタイプ	Volatile	記憶容量	64Mb (8M x 8)
メモリインタフェース	Parallel	メモリ形式	DRAM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	詳細な説明	DRAM Memory IC 64Mb (8M x 8) Parallel 166MHz 40ns
クロック周波数	166MHz	アクセス時間	40ns

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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