| 部品型番 | IRFD9120PBF | メーカー | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 82486 pcs | データシート | IRFD9120PBF.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | Vgs(最大) | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 600 mOhm @ 600mA, 10V |
| 電力消費(最大) | 1.3W (Ta) | パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 他の名前 | *IRFD9120PBF |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 390pF @ 25V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 18nC @ 10V |
| FETタイプ | P-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100V |
| 詳細な説明 | P-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1A (Ta) |
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