部品型番 | SI6562CDQ-T1-GE3 | メーカー | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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説明 | MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 72214 pcs | データシート | SI6562CDQ-T1-GE3.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA | サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP |
シリーズ | TrenchFET® | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V |
電力 - 最大 | 1.6W, 1.7W | パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 他の名前 | SI6562CDQ-T1-GE3CT |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 850pF @ 10V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 23nC @ 10V |
FETタイプ | N and P-Channel | FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V | 詳細な説明 | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.7A, 6.1A | ベース部品番号 | SI6562 |
フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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