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SIDR140DP-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
SIDR140DP-T1-GE3 Image
画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番: SIDR140DP-T1-GE3
メーカー/ブランド: Electro-Films (EFI) / Vishay
製品の説明 MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC
仕様書: SIDR140DP-T1-GE3.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況 79408 pcs stock
配達場所 香港
輸送モード DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 79408 pcs
参考価格(USD)
3000 pcs
$0.434
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SIDR140DP-T1-GE3の仕様

部品型番 SIDR140DP-T1-GE3 メーカー Electro-Films (EFI) / Vishay
説明 MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 79408 pcs データシート SIDR140DP-T1-GE3.pdf
同上@ VGS(TH)(最大) 2.1V @ 250µA Vgs(最大) +20V, -16V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8DC
シリーズ TrenchFET® Gen IV 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 0.67 mOhm @ 20A, 10V
電力消費(最大) 6.25W (Ta), 125W (Tc) パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8 他の名前 SIDR140DP-T1-GE3TR
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ) 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 8150pF @ 10V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 170nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 25V
詳細な説明 N-Channel 25V 79A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 79A (Ta), 100A (Tc)

郵送方法

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
(集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ)

フェデックス www.FedEx.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
DHL www.DHL.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
UPS www.UPS.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
TNT www.TNT.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。

★配達時間はDHL / UPS / FEDERAL EXPRESS / TNTで世界中の国のほとんどに2-4日が必要になります。

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  2. あなたがそれらを受けた後に我々の製品に関する品質問題を見つけるならば、あなたはそれらをテストして、それが証明されることができるなら無条件の払い戻しを申し込むことができます。
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