| 部品型番 | FCD3400N80Z | メーカー | Fairchild/ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 800V 2A D2PAK | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 219848 pcs | データシート | FCD3400N80Z.pdf |
| 電圧 - テスト | 400pF @ 100V | 電圧 - ブレークダウン | DPAK |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 3.4 Ohm @ 1A, 10V | Vgs(最大) | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | シリーズ | SuperFET® II |
| RoHSステータス | Tape & Reel (TR) | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2A (Tc) |
| 偏光 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 他の名前 | FCD3400N80ZTR |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 製造元の部品番号 | FCD3400N80Z |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 9.6nC @ 10V | IGBTタイプ | ±20V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4.5V @ 200µA | FET特長 | N-Channel |
| 拡張された説明 | N-Channel 800V 2A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount DPAK | ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
| 説明 | MOSFET N-CH 800V 2A D2PAK | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 800V |
| 静電容量比 | 32W (Tc) |
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