| 部品型番 | FQPF8N80CYDTU | メーカー | Fairchild/ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 48824 pcs | データシート | FQPF8N80CYDTU.pdf |
| 電圧 - テスト | 2050pF @ 25V | 電圧 - ブレークダウン | TO-220F-3 (Y-Forming) |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 1.55 Ohm @ 4A, 10V | Vgs(最大) | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | シリーズ | QFET® |
| RoHSステータス | Tube | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 8A (Tc) |
| 偏光 | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号 | FQPF8N80CYDTU | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 45nC @ 10V |
| IGBTタイプ | ±30V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 5V @ 250µA |
| FET特長 | N-Channel | 拡張された説明 | N-Channel 800V 8A (Tc) 59W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming) |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | - | 説明 | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 800V | 静電容量比 | 59W (Tc) |
| フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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