GA05JT12-263

GeneSiC Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 6632 pcs

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部品型番	GA05JT12-263	メーカー	GeneSiC Semiconductor
説明	TRANS SJT 1200V 15A	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	6632 pcs	データシート	GA05JT12-263.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	-	Vgs（最大）	-
技術	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)	サプライヤデバイスパッケージ	D2PAK (7-Lead)
シリーズ	-	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	-
電力消費（最大）	106W (Tc)	パッケージング	Tube
パッケージ/ケース	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	他の名前	1242-1184 GA05JT12-220ISO GA05JT12220ISO
運転温度	175°C (TJ)	装着タイプ	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
FETタイプ	-	FET特長	-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	-	ソース電圧（VDSS）にドレイン	1200V
詳細な説明	1200V 15A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)	電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	15A (Tc)

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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