GB05SLT12-252

GeneSiC Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 23599 pcs

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部品型番	GB05SLT12-252	メーカー	GeneSiC Semiconductor
説明	DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	23599 pcs	データシート	GB05SLT12-252.pdf
電圧 - ピーク逆（最大）	Silicon Carbide Schottky	電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@	5A
電圧 - ブレークダウン	TO-252	シリーズ	-
RoHSステータス	Bulk	逆回復時間（trrの）	No Recovery Time > 500mA (Io)
もし、F @抵抗	260pF @ 1V, 1MHz	偏光	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前	1242-1129 GB05SLT12252	動作温度 - ジャンクション	0ns
装着タイプ	Surface Mount	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
製造元の部品番号	GB05SLT12-252	拡張された説明	Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 5A Surface Mount TO-252
ダイオード構成	50µA @ 1200V	説明	DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
電流 - 漏れ@ Vrとリバース	1.8V @ 2A	電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり）	1200V (1.2kV)
Vrと、F @キャパシタンス	-55°C ~ 175°C

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