IXYS Corporation
| 部品型番 | IXFH60N65X2-4 | メーカー | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH | フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 在庫あり | 9307 pcs | データシート | IXFH60N65X2-4.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 4mA | Vgs(最大) | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-4L |
| シリーズ | HiPerFET™ | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 52 mOhm @ 30A, 10V |
| 電力消費(最大) | 780W (Tc) | パッケージ/ケース | TO-247-4 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 6300pF @ 25V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 108nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V |
| 詳細な説明 | N-Channel 650V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247-4L | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 60A (Tc) |
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