| 部品型番 | IXTA1R6N100D2HV | メーカー | IXYS Corporation |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH | フリーステータス/ RoHS状態 | |
| 在庫あり | 27457 pcs | データシート | IXTA1R6N100D2HV.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 100µA | Vgs(最大) | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-263HV |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 10 Ohm @ 800mA, 0V |
| 電力消費(最大) | 100W (Tc) | パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 645pF @ 10V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 27nC @ 5V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | Depletion Mode |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 0V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1000V |
| 詳細な説明 | N-Channel 1000V 1.6A (Tj) 100W (Tc) Surface Mount TO-263HV | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.6A (Tj) |
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