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Infineon Technologies
| 部品型番 | IPB035N08N3 G | メーカー | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 34383 pcs | データシート | IPB035N08N3 G.pdf |
| 電圧 - テスト | 8110pF @ 40V | 電圧 - ブレークダウン | PG-TO263-2 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5 mOhm @ 100A, 10V | Vgs（最大） | 6V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | シリーズ | OptiMOS™ |
| RoHSステータス | Digi-Reel® | 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100A (Tc) |
| 偏光 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 他の名前 | IPB035N08N3 GDKR |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | 製造元の部品番号 | IPB035N08N3 G |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 117nC @ 10V | IGBTタイプ | ±20V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.5V @ 155µA | FET特長 | N-Channel |
| 拡張された説明 | N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 | ソース電圧（VDSS）にドレイン | - |
| 説明 | MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3 | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80V |
| 静電容量比 | 214W (Tc) |
| フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
| UPS | www.UPS.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
| TNT | www.TNT.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
