| 部品型番 | IPB60R099P7ATMA1 | メーカー | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH TO263-3 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛含有/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 39673 pcs | データシート | IPB60R099P7ATMA1.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 530µA | Vgs(最大) | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263AB) |
| シリーズ | CoolMOS™ P7 | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 99 mOhm @ 10.5A, 10V |
| 電力消費(最大) | 117W (Tc) | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 他の名前 | IPB60R099P7 IPB60R099P7ATMA1-ND IPB60R099P7ATMA1TR SP001664910 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS Compliant |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1952pF @ 400V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 45nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V |
| 詳細な説明 | N-Channel 650V 31A (Tc) 117W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 31A (Tc) |
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