| 部品型番 | IPD80R1K0CEATMA1 | メーカー | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 56502 pcs | データシート | IPD80R1K0CEATMA1.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 3.9V @ 250µA | Vgs(最大) | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
| シリーズ | CoolMOS™ CE | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 950 mOhm @ 3.6A, 10V |
| 電力消費(最大) | 83W (Tc) | パッケージング | Cut Tape (CT) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 他の名前 | IPD80R1K0CEATMA1CT |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 785pF @ 100V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 31nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 800V |
| 詳細な説明 | N-Channel 800V 5.7A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.7A (Tc) |
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