| 部品型番 | IPI023NE7N3 G | メーカー | International Rectifier (Infineon Technologies) |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 5380 pcs | データシート | |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 3.8V @ 273µA | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3 | シリーズ | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.3 mOhm @ 100A, 10V | 電力消費(最大) | 300W (Tc) |
| パッケージング | Tube | パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 他の名前 | IPI023NE7N3 G-ND IPI023NE7N3G |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 14400pF @ 37.5V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 206nC @ 10V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 75V |
| 詳細な説明 | N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 120A (Tc) |
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