| 部品型番 | RW1E025RPT2CR | メーカー | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 983328 pcs | データシート | RW1E025RPT2CR.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 1mA | Vgs(最大) | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | 6-WEMT |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 75 mOhm @ 2.5A, 10V |
| 電力消費(最大) | 700mW (Ta) | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | SOT-563, SOT-666 | 他の名前 | RW1E025RPT2CRTR |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 480pF @ 10V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 5.2nC @ 5V |
| FETタイプ | P-Channel | FET特長 | - |
| 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4V, 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
| 詳細な説明 | P-Channel 30V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.5A (Ta) |
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