MT44K64M18RB-083F:A

Micron Technology

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 819 pcs

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部品型番	MT44K64M18RB-083F:A	メーカー	Micron Technology
説明	IC DRAM 1.125G PARALLEL 1200MHZ	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	819 pcs	データシート	MT44K64M18RB-083F:A.pdf
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ	-	電源電圧 -	1.28 V ~ 1.42 V
技術	DRAM	シリーズ	-
運転温度	0°C ~ 95°C (TC)	水分感受性レベル（MSL）	3 (168 Hours)
メモリタイプ	Volatile	記憶容量	1.125Gb (64Mb x 18)
メモリインタフェース	Parallel	メモリ形式	DRAM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	詳細な説明	DRAM Memory IC 1.125Gb (64Mb x 18) Parallel 1200MHz 6.67ns
クロック周波数	1200MHz	アクセス時間	6.67ns

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（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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