| 部品型番 | MT47H512M4THN-3:E TR | メーカー | Micron Technology |
|---|---|---|---|
| 説明 | IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 1642 pcs | データシート | MT47H512M4THN-3:E TR.pdf |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 15ns | 電源電圧 - | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 技術 | SDRAM - DDR2 | サプライヤデバイスパッケージ | 63-FBGA (9x11.5) |
| シリーズ | - | パッケージング | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 63-FBGA | 他の名前 | MT47H512M4THN-3:E TR-ND MT47H512M4THN-3:ETR |
| 運転温度 | 0°C ~ 85°C (TC) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) | メモリタイプ | Volatile |
| 記憶容量 | 2Gb (512M x 4) | メモリインタフェース | Parallel |
| メモリ形式 | DRAM | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 詳細な説明 | SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 333MHz 450ps 63-FBGA (9x11.5) | クロック周波数 | 333MHz |
| ベース部品番号 | MT47H512M4 | アクセス時間 | 450ps |
| フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
|---|---|---|
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