2N2219AE4

Microsemi

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 9671 pcs

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部品型番	2N2219AE4	メーカー	Microsemi
説明	TRANS NPN 40V 0.8A TO-39	フリーステータス/ RoHS状態
在庫あり	9671 pcs	データシート	2N2219AE4.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	50V	IB、IC @ Vce飽和（最大）	1V @ 50mA, 500mA
トランジスタ型式	NPN	サプライヤデバイスパッケージ	TO-39 (TO-205AD)
シリーズ	-	電力 - 最大	800mW
パッケージ/ケース	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	運転温度	-55°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole	周波数 - トランジション	-
詳細な説明	Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 800mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)	Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）	100 @ 150mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大）	10nA	電流 - コレクタ（Ic）（Max）	800mA

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（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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