APTMC60TLM55CT3AG

Microsemi

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 282 pcs

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部品型番	APTMC60TLM55CT3AG	メーカー	Microsemi
説明	MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	282 pcs	データシート	APTMC60TLM55CT3AG.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	2.2V @ 2mA (Typ)	サプライヤデバイスパッケージ	SP3
シリーズ	-	同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	49 mOhm @ 40A, 20V
電力 - 最大	250W	パッケージング	Bulk
パッケージ/ケース	SP3	運転温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Chassis Mount	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1900pF @ 1000V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	98nC @ 20V	FETタイプ	4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET特長	Silicon Carbide (SiC)	ソース電圧（VDSS）にドレイン	1200V (1.2kV)
詳細な説明	Mosfet Array 4 N-Channel (Three Level Inverter) 1200V (1.2kV) 48A (Tc) 250W Chassis Mount SP3	電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	48A (Tc)

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（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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