部品型番 | STI10NM60N | メーカー | STMicroelectronics |
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説明 | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 37621 pcs | データシート | STI10NM60N.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | Vgs(最大) | ±25V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK |
シリーズ | MDmesh™ II | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 550 mOhm @ 4A, 10V |
電力消費(最大) | 70W (Tc) | パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | 他の名前 | 497-13839-5 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 540pF @ 50V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 19nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel | FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600V |
詳細な説明 | N-Channel 600V 10A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10A (Tc) |
フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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