| 部品型番 | TSM1NB60SCT A3 | メーカー | TSC (Taiwan Semiconductor) |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 600V TO92 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛/ RoHS非対応 |
| 在庫あり | 7097 pcs | データシート | TSM1NB60SCT A3.pdf |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 250µA | Vgs(最大) | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-92 |
| シリーズ | - | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 10 Ohm @ 250mA, 10V |
| 電力消費(最大) | 2.5W (Tc) | パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| 他の名前 | TSM1NB60SCTA3 | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 138pF @ 25V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6.1nC @ 10V | FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - | 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600V | 詳細な説明 | N-Channel 600V 500mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 500mA (Tc) |
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