BAS516,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	BAS516,H3F
メーカー/ブランド:	Toshiba Semiconductor and Storage
製品の説明	DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
仕様書:	BAS516,H3F.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	2713352 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2713352 pcs

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部品型番	BAS516,H3F	メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
説明	DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	2713352 pcs	データシート	BAS516,H3F.pdf
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@	1.25V @ 150mA	電圧 - 逆（VR）（最大）	100V
サプライヤデバイスパッケージ	ESC	速度	Fast Recovery = 200mA (Io)
シリーズ	-	逆回復時間（trrの）	3ns
パッケージ/ケース	SC-79, SOD-523	他の名前	BAS516H3F
動作温度 - ジャンクション	150°C (Max)	装着タイプ	Surface Mount
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	ダイオードタイプ	Standard
詳細な説明	Diode Standard 100V 250mA Surface Mount ESC	電流 - 漏れ@ Vrとリバース	200nA @ 80V
電流 - 平均整流（イオ）	250mA	Vrと、F @キャパシタンス	0.35pF @ 0V, 1MHz

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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