部品型番 | RN1102MFV,L3F | メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
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説明 | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 323256 pcs | データシート | RN1102MFV,L3F.pdf |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V | IB、IC @ Vce飽和(最大) | 300mV @ 500µA, 5mA |
トランジスタ型式 | NPN - Pre-Biased | サプライヤデバイスパッケージ | VESM |
シリーズ | - | 抵抗器ベース(R2) | 10 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) | 10 kOhms | 電力 - 最大 | 150mW |
パッケージング | Cut Tape (CT) | パッケージ/ケース | SOT-723 |
他の名前 | RN1102MFV(TL3T)CT RN1102MFV(TL3T)CT-ND RN1102MFVL3F(BCT RN1102MFVL3F(BCT-ND RN1102MFVL3FCT |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM | Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 50 @ 10mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 500nA | 電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100mA |
フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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