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TK10A60W,S4VX

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
TK10A60W,S4VX Image
画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番: TK10A60W,S4VX
メーカー/ブランド: Toshiba Semiconductor and Storage
製品の説明 MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
仕様書: TK10A60W,S4VX.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況 33191 pcs stock
配達場所 香港
輸送モード DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 33191 pcs
参考価格(USD)
1 pcs
$1.131
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TK10A60W,S4VXの仕様

部品型番 TK10A60W,S4VX メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
説明 MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 33191 pcs データシート TK10A60W,S4VX.pdf
同上@ VGS(TH)(最大) 3.7V @ 500µA Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ TO-220SIS
シリーズ DTMOSIV 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 380 mOhm @ 4.9A, 10V
電力消費(最大) 30W (Tc) パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack 他の名前 TK10A60W,S4VX(M
TK10A60WS4VX
運転温度 150°C (TJ) 装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 700pF @ 300V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 20nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 Super Junction
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 600V
詳細な説明 N-Channel 600V 9.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9.7A (Ta)

郵送方法

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
(集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ)

フェデックス www.FedEx.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
DHL www.DHL.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
UPS www.UPS.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
TNT www.TNT.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。

★配達時間はDHL / UPS / FEDERAL EXPRESS / TNTで世界中の国のほとんどに2-4日が必要になります。

あなたが積荷についての質問をするならば、我々に連絡するのを遠慮しなくしてください。私達に電子メールを送り Info@infinity-electronic.com
FedexDHLUPSTNT

売り上げ後の保証

  1. Infinity-Semiconductor.comからの各製品には1年の保証期間が与えられています。この期間中に、当社の製品についての問題があれば私達は無料の技術メンテナンスを提供することができます。
  2. あなたがそれらを受けた後に我々の製品に関する品質問題を見つけるならば、あなたはそれらをテストして、それが証明されることができるなら無条件の払い戻しを申し込むことができます。
  3. 製品が不完全であるか、彼らが働かないならば、あなたは1年以内に我々に戻ることができます、商品のすべての輸送と関税料金は我々によって負担されます。

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