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TK16C60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
TK16C60W,S1VQ Image
画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番: TK16C60W,S1VQ
メーカー/ブランド: Toshiba Semiconductor and Storage
製品の説明 MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
仕様書: TK16C60W,S1VQ.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況 18798 pcs stock
配達場所 香港
輸送モード DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 18798 pcs
参考価格(USD)
1 pcs
$1.942
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TK16C60W,S1VQの仕様

部品型番 TK16C60W,S1VQ メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
説明 MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 18798 pcs データシート TK16C60W,S1VQ.pdf
同上@ VGS(TH)(最大) 3.7V @ 790µA Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ I2PAK
シリーズ DTMOSIV 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 190 mOhm @ 7.9A, 10V
電力消費(最大) 130W (Tc) パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA 他の名前 TK16C60W,S1VQ(S
TK16C60WS1VQ
運転温度 150°C (TJ) 装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1350pF @ 300V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 38nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 600V
詳細な説明 N-Channel 600V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole I2PAK 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 15.8A (Ta)

郵送方法

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
(集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ)

フェデックス www.FedEx.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
DHL www.DHL.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
UPS www.UPS.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
TNT www.TNT.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。

★配達時間はDHL / UPS / FEDERAL EXPRESS / TNTで世界中の国のほとんどに2-4日が必要になります。

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売り上げ後の保証

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  2. あなたがそれらを受けた後に我々の製品に関する品質問題を見つけるならば、あなたはそれらをテストして、それが証明されることができるなら無条件の払い戻しを申し込むことができます。
  3. 製品が不完全であるか、彼らが働かないならば、あなたは1年以内に我々に戻ることができます、商品のすべての輸送と関税料金は我々によって負担されます。

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