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Toshiba Semiconductor and Storage
| 部品型番 | TK31J60W,S1VQ | メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N) | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 9381 pcs | データシート | TK31J60W,S1VQ.pdf |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.7V @ 1.5mA | Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P(N) |
| シリーズ | DTMOSIV | 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 88 mOhm @ 15.4A, 10V |
| 電力消費（最大） | 230W (Tc) | パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | 他の名前 | TK31J60W,S1VQ(O TK31J60WS1VQ |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3000pF @ 300V | ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 86nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel | FET特長 | Super Junction |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600V |
| 詳細な説明 | N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-3P(N) | 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30.8A (Ta) |
| フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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