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TK40A06N1,S4X

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
TK40A06N1,S4X Image
画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番: TK40A06N1,S4X
メーカー/ブランド: Toshiba Semiconductor and Storage
製品の説明 MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS
仕様書: TK40A06N1,S4X.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況 61492 pcs stock
配達場所 香港
輸送モード DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 61492 pcs
参考価格(USD)
1 pcs
$0.502
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TK40A06N1,S4Xの仕様

部品型番 TK40A06N1,S4X メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
説明 MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 61492 pcs データシート TK40A06N1,S4X.pdf
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 300µA Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide) サプライヤデバイスパッケージ TO-220SIS
シリーズ U-MOSVIII-H 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 10.4 mOhm @ 20A, 10V
電力消費(最大) 30W (Tc) パッケージング Tube
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack 他の名前 TK40A06N1,S4X(S
TK40A06N1,S4X-ND
TK40A06N1S4X
運転温度 150°C (TJ) 装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1700pF @ 30V ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 23nC @ 10V
FETタイプ N-Channel FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V ソース電圧(VDSS)にドレイン 60V
詳細な説明 N-Channel 60V 40A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 40A (Tc)

郵送方法

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
(集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ)

フェデックス www.FedEx.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
DHL www.DHL.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
UPS www.UPS.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
TNT www.TNT.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。

★配達時間はDHL / UPS / FEDERAL EXPRESS / TNTで世界中の国のほとんどに2-4日が必要になります。

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  2. あなたがそれらを受けた後に我々の製品に関する品質問題を見つけるならば、あなたはそれらをテストして、それが証明されることができるなら無条件の払い戻しを申し込むことができます。
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