| 部品型番 | SIHB22N65E-GE3 | メーカー | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 17120 pcs | データシート | SIHB22N65E-GE3.pdf |
| 電圧 - テスト | 2415pF @ 100V | 電圧 - ブレークダウン | D2PAK |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 180 mOhm @ 11A, 10V | Vgs(最大) | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | シリーズ | - |
| RoHSステータス | Tape & Reel (TR) | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 22A (Tc) |
| 偏光 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 他の名前 | SIHB22N65E-GE3TR |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 製造元の部品番号 | SIHB22N65E-GE3 |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 110nC @ 10V | IGBTタイプ | ±30V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4V @ 250µA | FET特長 | N-Channel |
| 拡張された説明 | N-Channel 650V 22A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D2PAK | ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
| 説明 | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 650V |
| 静電容量比 | 227W (Tc) |
| フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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