| 部品型番 | SIHF12N60E-GE3 | メーカー | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 32927 pcs | データシート | SIHF12N60E-GE3.pdf |
| 電圧 - テスト | 937pF @ 100V | 同上@ VGS(TH)(最大) | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(最大) | 10V | 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | E | RoHSステータス | Digi-Reel® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 12A (Tc) | 偏光 | TO-220-3 Full Pack |
| 他の名前 | SIHF12N60E-GE3DKR | 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号 | SIHF12N60E-GE3 | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 58nC @ 10V |
| IGBTタイプ | ±30V | ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4V @ 250µA |
| FET特長 | N-Channel | 拡張された説明 | N-Channel 600V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole |
| ソース電圧(VDSS)にドレイン | - | 説明 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 600V | 静電容量比 | 33W (Tc) |
| フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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