| 部品型番 | SQJ431EP-T1_GE3 | メーカー | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| 説明 | MOSFET P-CHAN 200V SO8L | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 在庫あり | 115309 pcs | データシート | SQJ431EP-T1_GE3.pdf |
| 電圧 - テスト | 4355pF @ 25V | 電圧 - ブレークダウン | PowerPAK® SO-8 |
| 同上@ VGS(TH)(最大) | 213 mOhm @ 1A, 4V | Vgs(最大) | 6V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RoHSステータス | Tape & Reel (TR) | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 12A (Tc) |
| 偏光 | PowerPAK® SO-8 | 他の名前 | SQJ431EP-T1_GE3TR |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 装着タイプ | Surface Mount |
| 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 製造元の部品番号 | SQJ431EP-T1_GE3 |
| 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 160nC @ 10V | IGBTタイプ | ±20V |
| ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 3.5V @ 250µA | FET特長 | P-Channel |
| 拡張された説明 | P-Channel 200V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 | ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
| 説明 | MOSFET P-CHAN 200V SO8L | 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 200V |
| 静電容量比 | 83W (Tc) |
| フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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| DHL | www.DHL.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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