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SQJ431EP-T1_GE3

Vishay SiliconixVishay Siliconix
SQJ431EP-T1_GE3 Image
画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番: SQJ431EP-T1_GE3
メーカー/ブランド: Vishay / Siliconix
製品の説明 MOSFET P-CHAN 200V SO8L
仕様書: SQJ431EP-T1_GE3.pdf
RoHS ステータス 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況 115309 pcs stock
配達場所 香港
輸送モード DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 115309 pcs
参考価格(USD)
3000 pcs
$0.289
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$0.278
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SQJ431EP-T1_GE3の仕様

部品型番 SQJ431EP-T1_GE3 メーカー Vishay Siliconix
説明 MOSFET P-CHAN 200V SO8L フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり 115309 pcs データシート SQJ431EP-T1_GE3.pdf
電圧 - テスト 4355pF @ 25V 電圧 - ブレークダウン PowerPAK® SO-8
同上@ VGS(TH)(最大) 213 mOhm @ 1A, 4V Vgs(最大) 6V, 10V
技術 MOSFET (Metal Oxide) シリーズ Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RoHSステータス Tape & Reel (TR) 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 12A (Tc)
偏光 PowerPAK® SO-8 他の名前 SQJ431EP-T1_GE3TR
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ) 装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited) 製造元の部品番号 SQJ431EP-T1_GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 160nC @ 10V IGBTタイプ ±20V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 3.5V @ 250µA FET特長 P-Channel
拡張された説明 P-Channel 200V 12A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 ソース電圧(VDSS)にドレイン -
説明 MOSFET P-CHAN 200V SO8L 電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 200V
静電容量比 83W (Tc)

郵送方法

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
(集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ)

フェデックス www.FedEx.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
DHL www.DHL.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
UPS www.UPS.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。
TNT www.TNT.com $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。

★配達時間はDHL / UPS / FEDERAL EXPRESS / TNTで世界中の国のほとんどに2-4日が必要になります。

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売り上げ後の保証

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  2. あなたがそれらを受けた後に我々の製品に関する品質問題を見つけるならば、あなたはそれらをテストして、それが証明されることができるなら無条件の払い戻しを申し込むことができます。
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