W9812G2KB-6

Winbond Electronics Corporation

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	W9812G2KB-6
メーカー/ブランド:	Winbond Electronics Corporation
製品の説明	IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
仕様書:	W9812G2KB-6.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	17871 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 17871 pcs

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部品型番	W9812G2KB-6	メーカー	Winbond Electronics Corporation
説明	IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	17871 pcs	データシート	W9812G2KB-6.pdf
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ	-	電源電圧 -	3 V ~ 3.6 V
技術	SDRAM	サプライヤデバイスパッケージ	90-TFBGA (8x13)
シリーズ	-	パッケージング	Tray
パッケージ/ケース	90-TFBGA	運転温度	0°C ~ 70°C (TA)
装着タイプ	Surface Mount	水分感受性レベル（MSL）	3 (168 Hours)
メモリタイプ	Volatile	記憶容量	128Mb (4M x 32)
メモリインタフェース	Parallel	メモリ形式	DRAM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant	詳細な説明	SDRAM Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-TFBGA (8x13)
クロック周波数	166MHz	アクセス時間	5ns

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（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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