GSID200A170S3B1

Global Power Technologies Group

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	GSID200A170S3B1
メーカー/ブランド:	Global Power Technologies Group
製品の説明	SILICON IGBT MODULES
仕様書:	GSID200A170S3B1.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	688 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 688 pcs

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部品型番	GSID200A170S3B1	メーカー	Global Power Technologies Group
説明	SILICON IGBT MODULES	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	688 pcs	データシート	GSID200A170S3B1.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	1200V	VGE、Icを@ VCE（上）（最大）	1.9V @ 15V, 200A
サプライヤデバイスパッケージ	D3	シリーズ	Amp+™
電力 - 最大	1630W	パッケージ/ケース	D-3 Module
運転温度	-40°C ~ 150°C	NTCサーミスタ	No
装着タイプ	Chassis Mount	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
入力容量（量Cies）@ Vceは	26nF @ 25V	入力	Standard
IGBTタイプ	-	詳細な説明	IGBT Module 2 Independent 1200V 400A 1630W Chassis Mount D3
電流 - コレクタ遮断（最大）	1mA	電流 - コレクタ（Ic）（Max）	400A
コンフィギュレーション	2 Independent

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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