GSID600A120S4B1

Global Power Technologies Group

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

部品型番:	GSID600A120S4B1
メーカー/ブランド:	Global Power Technologies Group
製品の説明	SILICON IGBT MODULES
仕様書:	GSID600A120S4B1.pdf
RoHS ステータス	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫状況	531 pcs stock
配達場所	香港
輸送モード	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 531 pcs

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部品型番	GSID600A120S4B1	メーカー	Global Power Technologies Group
説明	SILICON IGBT MODULES	フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	531 pcs	データシート	GSID600A120S4B1.pdf
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）	1200V	VGE、Icを@ VCE（上）（最大）	2.1V @ 15V, 600A
サプライヤデバイスパッケージ	Module	シリーズ	Amp+™
電力 - 最大	3060W	パッケージ/ケース	Module
運転温度	-40°C ~ 150°C	NTCサーミスタ	Yes
装着タイプ	Chassis Mount	鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
入力容量（量Cies）@ Vceは	51nF @ 25V	入力	Standard
IGBTタイプ	-	詳細な説明	IGBT Module Half Bridge 1200V 1130A 3060W Chassis Mount Module
電流 - コレクタ遮断（最大）	1mA	電流 - コレクタ（Ic）（Max）	1130A
コンフィギュレーション	Half Bridge

★ご注文金額が1,000 USDを超える場合は、DHL / FEDERAL EXPRESS / UPSを経由した送料無料。
（集積回路、回路保護、RF / IFおよびRFID、オプトエレクトロニクス、センサー、トランスデューサー、トランス、アイソレーター、スイッチ、リレーのみ）

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