1N8028-GA

GeneSiC Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 467 pcs

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部品型番	1N8028-GA	メーカー	GeneSiC Semiconductor
説明	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257	フリーステータス/ RoHS状態	鉛/ RoHS非対応
在庫あり	467 pcs	データシート	1N8028-GA.pdf
電圧 - ピーク逆（最大）	Silicon Carbide Schottky	電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@	9.4A (DC)
電圧 - ブレークダウン	TO-257	シリーズ	-
RoHSステータス	Tube	逆回復時間（trrの）	No Recovery Time > 500mA (Io)
もし、F @抵抗	884pF @ 1V, 1MHz	偏光	TO-257-3
他の名前	1242-1115 1N8028GA	動作温度 - ジャンクション	0ns
装着タイプ	Through Hole	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
製造元の部品番号	1N8028-GA	拡張された説明	Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 9.4A (DC) Through Hole TO-257
ダイオード構成	20µA @ 1200V	説明	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
電流 - 漏れ@ Vrとリバース	1.6V @ 10A	電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり）	1200V (1.2kV)
Vrと、F @キャパシタンス	-55°C ~ 250°C

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