部品型番 | 1N8030-GA | メーカー | GeneSiC Semiconductor |
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説明 | DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257 | フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛/ RoHS非対応 |
在庫あり | 570 pcs | データシート | 1N8030-GA.pdf |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.39V @ 750mA | 電圧 - 逆(VR)(最大) | 650V |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-257 | 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | - | 逆回復時間(trrの) | 0ns |
パッケージング | Tube | パッケージ/ケース | TO-257-3 |
他の名前 | 1242-1117 1N8030GA |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 250°C |
装着タイプ | Through Hole | 水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant | ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
詳細な説明 | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 750mA Through Hole TO-257 | 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5µA @ 650V |
電流 - 平均整流(イオ) | 750mA | Vrと、F @キャパシタンス | 76pF @ 1V, 1MHz |
ベース部品番号 | 1N8030 |
フェデックス | www.FedEx.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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DHL | www.DHL.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |
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TNT | www.TNT.com | $ 35.00から基本配送料は地域と国によって異なります。 |