1N8035-GA

GeneSiC Semiconductor

画像はあくまで参考用です、実用的な製品の仕様を参照してください。

製品の概要

In Stock 489 pcs

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部品型番	1N8035-GA	メーカー	GeneSiC Semiconductor
説明	DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276	フリーステータス/ RoHS状態	鉛/ RoHS非対応
在庫あり	489 pcs	データシート	1N8035-GA.pdf
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@	1.5V @ 15A	電圧 - 逆（VR）（最大）	650V
サプライヤデバイスパッケージ	TO-276	速度	No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ	-	逆回復時間（trrの）	0ns
パッケージング	Tube	パッケージ/ケース	TO-276AA
他の名前	1242-1122 1N8035GA	動作温度 - ジャンクション	-55°C ~ 250°C
装着タイプ	Surface Mount	水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Contains lead / RoHS non-compliant	ダイオードタイプ	Silicon Carbide Schottky
詳細な説明	Diode Silicon Carbide Schottky 650V 14.6A (DC) Surface Mount TO-276	電流 - 漏れ@ Vrとリバース	5µA @ 650V
電流 - 平均整流（イオ）	14.6A (DC)	Vrと、F @キャパシタンス	1107pF @ 1V, 1MHz
ベース部品番号	1N8035

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